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CVD系统是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。
CVD系统配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉 ，温度控制精确，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
1.与传统CVD系统比较，生长温度更低。
2.使用滑轨炉实现快速升温和降温。
3.设备特有的技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长
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